天岳先进引领碳化硅技术革新，彰显全球专利布局实力

近日，法国知名专利分析机构KNOWMADE发布的最新报告显示，山东天岳先进科技股份有限公司（简称“天岳先进”，股票代码688234）在碳化硅(SiC)半导体领域的专利申请量、授权量及海外布局均居中国企业首位，巩固了其国内宽禁带半导体领军地位。在行业聚焦基板、外延、器件优化时，本文将剖析天岳先进如何以创新驱动，应对挑战，把握机遇。

重大突破！大尺寸碳化硅衬底技术攻克行业难题

KNOWMADE报告指出，天岳先进核心专利通过优化晶体生长工艺，有效改善大直径（>150mm）碳化硅晶圆的3D应力分布，显著降低内部应力。此举解决了大尺寸衬底易裂、缺陷密度高等难题，提升了衬底稳定性和可靠性，为SiC功率器件应用提供坚实支撑。

此外，笔者注意到天岳先进授权发明专利CN118166427B和CN118147740B聚焦无特征生长面技术，优化晶体生长界面，不仅提高了电学性能一致性，还改善了缺陷均匀性，进而提升了衬底质量，有效降低了下游器件的不良率，有力保障了新能源汽车、绿色能源等高端领域的应用需求。

关键填补！低电阻P型碳化硅晶体技术打破国外垄断

据了解，天岳先进在P型碳化硅晶体技术上实现了重大突破。通过精准控制掺杂，成功实现了电阻率的均匀分布，同时降低了晶体空洞密度和直径。这一成果不仅提高了晶体利用率，还有效抑制了微观缺陷，优化了功率器件导通特性，避免了漏电流增大和击穿电压降低等问题。

P型碳化硅晶体是高性能功率器件关键材料，长期被国外垄断。天岳先进的技术突破填补了国内空白，为国产碳化硅器件性能提升和成本降低提供了有力支撑。目前，天岳先进已成功交付高质量低阻P型衬底，加速了SiC-IGBT的发展进程，为高端特高压功率器件国产化贡献了重要力量。

全面布局！全球专利彰显国际竞争力

KNOWMADE报告指出，天岳先进不仅在专利规模上处于领先地位，其海外专利布局的全面性和合理性也优于国内同行。最新数据显示，天岳先进通过PCT国际专利体系，已在欧洲、美国、日本、韩国、马来西亚等主要市场构建了知识产权保护网络，为其全球化战略提供了有力保障。

天岳先进的专利技术全面覆盖了碳化硅晶体生长、衬底加工、掺杂工艺等核心环节，还延伸至设备改进和检测技术，形成了全产业链的技术壁垒。这种全方位的专利布局不仅提升了企业的市场竞争力，也为中国第三代半导体产业的自主创新树立了标杆。

影响！驱动产业升级，赋能未来应用

天岳先进的技术突破和专利布局深刻影响全球碳化硅产业链。随着新能源汽车、光伏储能、5G等领域发展，碳化硅需求持续增长。天岳先进凭借创新与专利双轮驱动，有力推动了国产碳化硅规模化应用，加速了全球半导体供应链的重构进程。

展望未来，天岳先进将持续加大研发，聚焦大尺寸衬底、低缺陷晶体及下一代生长技术，巩固行业领先地位。同时，公司将加强与上下游协同创新，推动国产碳化硅产业链升级，助力中国半导体崛起。

结语：

天岳先进凭借其在碳化硅领域的技术创新和专利布局，赢得了国际权威机构的高度认可，也为中国宽禁带半导体产业的自主发展注入了强大动力。在全球半导体竞争日益激烈的背景下，天岳先进正以技术为矛、专利为盾，引领国产碳化硅材料大步迈向世界舞台的中心。

本文来源：财经报道网